◆发表的要点

• 研究小组通过独特的方法，成功合成了被称为半导体材料过渡金属硫化物（TMDC）纳米带的一维结构。
  
• 氧化钨纳米线生长并在其表面生长TMDC，成功合成单层TMDC纳米带。
  
• 通过这种方法的开发，对下一代的纳米级光电子器件和IoE（Internet of Everything）的发展做出很大贡献。

岸渊美咲（研究当时冈山大学研究生院自然科学研究科博士前期课程2年级，现罗姆株式会社）与学术研究院环境生命自然科学学科的铃木弘朗助教、鹤田健二教授、林靖彦教授、三泽贤明（研究当时冈山大学学术研究院自然科学学域助教，现福冈工业大学助教）的研究小组与与东京都立大学研究生院理学研究科物理学专业的宫田耕充副教授、产业技术综合研究所的刘崢上级主任研究员等共同，通过氧化钨纳米线的成长，新的化学气相成长法成功合成了原子级薄半导体材料（过渡金属硫化物，TMDC：Transition Metal Dichalcogenide）被称为“纳米带”的一维结构。
本次研究成果将于2023年5月1日刊登在美国化学会（American Chemical Society）发行的学术杂志《ACS Nano》上。
TMDC是具有3个原子厚度的半导体特性的原子层物质，除了机械柔软性之外，还具有优异的电光特性，因此有望应用于下一代的柔性光电子器件。通过将这样的原子层物质做成被称为纳米带的一维结构，期待新特性的表现。本次研究提出了合成单层TMDC纳米带的独特方法。TMDC纳米带将为下一代纳米级光电子器件和IoE（Internet of Everything）的发展做出巨大贡献。

◆研究者表示

虽然也有不顺利的时候，但是得到了很多人的协助，我已经努力了。这个研究能发表非常高兴！（岸渊） 从到任当初开始致力的研究终于成为论文，非常高兴。我想感谢努力实验的学生们。（铃木）

铃木助教

■论文信息
论文名：Self-limiting Growth of Monolayer Tungsten Disulfide Nanoribbons on Tungsten Oxide Nanowires
刊登：ACS Nano
作者：Hiroo Suzuki, Misaki Kishibuchi, Masaaki Misawa, Kazuma Shimogami, Soya Ochiai, Takahiro Kokura, Yijun Liu, Ryoki Hashimoto, Zheng Liu, Kenji Tsuruta, Yasumitsu Miyata and Yasuhiko Hayashi
D O I： https://doi.org/10.1021/acsnano.3c01608
U R L： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.3c01608

■研究资金
本研究由JSPS科研经费的青年研究（21K14497、20K14378）、学术变革领域研究（21H05232、21H05234）、基础研究A（22H00283）、JST创发性研究支援事业（PMJFR213X）、2020年度住友基础科学研究补助、2021年度笹川科学研究补助、2020年度矢崎科学技术振兴纪念财团、在2022年度池谷科学技术振兴财团研究补助的支援下而实施。

＜详细研究内容＞
原子层半导体的一维结构化成功～期待在下一代纳米级光电子器件中的应用～


＜咨询窗口＞
冈山大学学术研究院 环境生命自然科学学域
助教　铃木　弘朗
（TEL）086-251-8133
（FAX）086-251-8133