◆发表要点
- 成功生成了原子级厚度半导体材料过渡金属硫化物（TMDC）的亚努斯结构（亚努斯TMDC）。
- 利用等离子体原子置换法，详细调查了亚努斯TMDC的生成过程。
- 通过控制亚努斯TMDC的特性，对TMDC的新器件应用展开有很大贡献。
刘怡君（研究当时为冈山大学研究生院自然科学研究科博士前期课程2年级，现为东京大学研究生）与冈山大学学术研究院环境生命自然科学学科的铃木弘朗助教、鹤田健二教授、林靖彦教授、研究推进机构的中野知佑科技协调员、三泽贤明（研究当时冈山大学学术研究院自然科学学域助教，现福冈工业大学助教）等研究小组，成功地分析了原子级薄半导体材料，（过渡金属Dichalcogenide，TMDC：Transition Metal Dichalcogenide）的亚努斯结构的生成（亚努斯 TMDC）和生成过程分析成功。
本次研究成果于2023年5月8日刊登在美国化学会（American Chemical Society）发行的学术杂志《Nano Letters》上。
TMDC是3个原子厚度的半导体材料，除了机械柔软性之外，还具有优异的电、光特性，因此有望应用于下一代的柔性光电子器件。最近，将TMDC的表面原子层置换为其他原子的亚努斯TMDC的新物性和应用备受瞩目。最近报道了一种生成亚努斯TMDC的划时代方法，但其生成过程还不是很清楚。在这次的研究中，我们成功地从实验和理论计算中详细分析了达到亚努斯TMDC过程的晶体结构和电子状态。这个成果，有助于与TMDC的物性控制和新的设备应用展开。
◆研究者表示
因为是新材料，先行研究也很少，所以很辛苦。我很高兴做了很多实验的研究取得了成果。（刘） 虽然是踏实的研究，但是具有未预想到的发现，再次体会到了科学的乐趣。（铃木） |  刘研究生(M2) |  铃木助教 |
■论文信息
论文名：Intermediate State between MoSe2 and Janus MoSeS during Atomic Substitution Process
刊登：Nano Letters
作者：H. Suzuki, Y. Liu, M. Misawa, C. Nakano, Y. Wang, R. Nakano, K. Ishimura, K. Tsuruta, Y. Hayashi
D O I： https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c00972
U R L： https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00972
■研究资金
本研究是在青年研究（21K14497、20K14378）、2020年度矢崎科学技术振兴纪念财团、2021年度笹川科学研究资助、2022年度池谷科学技术振兴财团研究资助、2022年度公益信托小泽·吉川纪念电子研究资助金的支持下实施。
＜详细研究内容＞
成功分析具有亚努斯结构的二维半导体的生成和生成过程～期待二维半导体的新器件应用展开～
＜咨询窗口＞
冈山大学学术研究院 环境生命自然科学学域
助教 铃木 弘朗
（TEL）086-251-8133
（FAX）086-251-8133