◆发表要点

• 为三维LSI等最尖端半导体开发做出贡献，开发新的分析手法。
• 就半导体PN接合的光激发引起的电子运动与太赫兹波辐射之间的关系提出简化模型。
• 证明在硅（Si）晶片内部形成得浅PN接合深度可以简单地非破坏、非接触地以纳米精度推定。

　冈山大学、莱斯大学、三星电子、日本三星的国际研究小组通过观察对被嵌入硅晶片中PN接合照射飞秒激光而生成太赫兹波，能够以非破坏且非接触的方式简单地观察晶片内的PN结合深度，6月20日下午3点（日本时间）Springer Nature出版的「Light: Science & Applications」上发表。通过提出从PN接合所放射的太赫兹波与光激发的电子复杂运动相关联的简化模型，能够提取电子运动和内部电场等信息，在晶片表面附近形成得较浅PN接合深度现在可以用纳米分辨率定量估计。
该技术是三维的LSI等先进半导体器件开发支援的新技术，能提供对以往半导体制造工程的可靠性和节能环境也做出贡献的全面测量解决方案，可期待对半导体产业做出巨大贡献。

◆研究者表示

终于开始认识到半导体产业的复兴掌握着日本复活的关键。现在又开始追赶，比失去的东西更需要革新。其中，材料开发和设备开发受到关注，不过，支援三维LSI开发等的新分析科学的诞生也是必要的。虽然是很朴素的领域，但也希望大家关注半导体分析技术。

斗内教授

■论文信息
论文名：Non-contact and nanometer-scale measurement of PN junction depth buried in Si wafers using terahertz emission spectroscopy
刊登：Light: Science & Applications
作者：Fumikazu Murakami, Shinji Ueyama, Kenji Suzuki, Ingi Kim, Inkeun Baek, Sangwoo Bae, Dougyong Sung, Myungjun Lee, Sungyoon Ryu, Yusin Yang, and Masayoshi Tonouchi
D O I：https://doi.org/10.1038/s41377-025-01911-0

■研究资金
　本研究的一部分，获得科学研究费补助金支援实施（基础研究A、23H00184）

＜详细研究内容＞
最先端半導体技術開発に新たな分析手法を提供


＜咨询窗口＞
冈山大学学术研究院先进研究领域（异领域基础科学研究所）
教授（特任）　斗内政吉
（TEL）　080-7015-4935